【技术开发单位】中国建筑材料科学研究总院
【技术简介】技术源自于起爆器用高纯超精抛光氧化铝陶瓷基片。通过研发掌握了高纯氧化铝陶瓷基片的成型、致密、超精抛光等关键技术，基片产品的材料性能及光学性能优异，处于国内领先水平。可应用于厚膜电路、薄膜电路基板，还可作为陶瓷覆铜板、半导体致冷器、臭氧发生器及电子陶瓷元件的薄型承烧板。
【技术特点】该技术攻克了高纯氧化铝陶瓷基片成型、烧结、抛光过程的各项难题，良好的控制了晶粒尺寸、微观缺陷、微气孔等材料微观结构，研制出的氧化铝陶瓷基片具有优异的电性能、物理性能及光学性能。与国外同类产品技术指标对比，材料性能可达到国外同类产品水平。
【技术指标】
氧化铝含量：＞99.9%；
体积密度：＞3.95g/cm3；
体积电阻：＞1015Ω•cm；
介电常数（1MHz）：9.96；
表面粗糙度Ra：0.004-0.008μm；
Ry：0.02-0.08μm；
平整度：0.005mm；
尺寸规格：5英寸及以下规格。
【技术水平】国内领先
【可应用领域和范围】电子行业
【技术状态】小批量生产阶段
【合作方式】合作开发、风险投资、产品销售
【投入需求】500万元
【转化周期】1年
【预期效益】该技术的转化成功将提高国内电子行业陶瓷基片高端产品的制造水平，改善目前大尺寸高纯精抛氧化铝陶瓷基片以国外进口为主的局面。
【联系方式】张洪波
010-51167571/13501322918